3N65Z Todos los transistores

 

3N65Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3N65Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

 Búsqueda de reemplazo de 3N65Z MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

3N65Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:344K  utc
 3n65z.pdf pdf_icon

3N65Z

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 3N65Z Power MOSFET 3A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION 1TO-220FThe UTC 3N65Z is a high voltage and high current power MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used in high speed switchi

Otros transistores... 1N65A , 1N65 , 2N65 , 2N65L , 2N65Z , 2N65K , 3N65A , 3N65 , AO3401 , 3N65K , 4N65 , 4N65Z , 4N65K , 5N65 , 5N65K , 6N65 , 5N60 .

History: FQD5N60C | 2SK1904 | STP3NA50FI | FQD5N20L | FTA10N60C | STS6601

 

 
Back to Top

 


 
.