3N65Z Todos los transistores

 

3N65Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3N65Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
     - Selección de transistores por parámetros

 

3N65Z Datasheet (PDF)

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3N65Z

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 3N65Z Power MOSFET 3A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION 1TO-220FThe UTC 3N65Z is a high voltage and high current power MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used in high speed switchi

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IXFV30N60P | 24NM60G-TQ2-T | SSM4502GM | FPF1C2P5BF07A | FQD20N06L | SGSP341 | AOK160A60FDL

 

 
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