Справочник MOSFET. 3N65Z

 

3N65Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 3N65Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.9 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для 3N65Z

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

3N65Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:344K  utc
 3n65z.pdf pdf_icon

3N65Z

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 3N65Z Power MOSFET 3A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION 1TO-220FThe UTC 3N65Z is a high voltage and high current power MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used in high speed switchi

Другие MOSFET... 1N65A , 1N65 , 2N65 , 2N65L , 2N65Z , 2N65K , 3N65A , 3N65 , AO3401 , 3N65K , 4N65 , 4N65Z , 4N65K , 5N65 , 5N65K , 6N65 , 5N60 .

History: IXFH40N30Q

 

 
Back to Top

 


 
.