3N65Z - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 3N65Z
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.9 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
Аналог (замена) для 3N65Z
3N65Z Datasheet (PDF)
3n65z.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 3N65Z Power MOSFET 3A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION 1TO-220FThe UTC 3N65Z is a high voltage and high current power MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used in high speed switchi
Другие MOSFET... 1N65A , 1N65 , 2N65 , 2N65L , 2N65Z , 2N65K , 3N65A , 3N65 , MMIS60R580P , 3N65K , 4N65 , 4N65Z , 4N65K , 5N65 , 5N65K , 6N65 , 5N60 .
History: 3N65A | 1N65
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGMS5N50D | AGML315ME | AGMH70N90H | AGMH70N90C | AGMH70N70D | AGMH70N70C | AGMH614H | AGMH614D | AGMH614C | AGMH612D | AGMH6080H | AGMH606H | AGMH606C | AGMH605C | AGMH403A1 | AGM308MBP
Popular searches
2n4124 | mj15022 | toshiba c5198 | irf520n datasheet | tip107 | 2n5457 | k3568 | 2sc1344


