4N65Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 4N65Z
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 15 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de 4N65Z MOSFET
4N65Z Datasheet (PDF)
4n65z.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 4N65Z Power MOSFET 4A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 4N65Z is a high voltage power MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate 1charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche TO-220Fcharacteristic. This power MOSFET is usually used in high speed switching applicat
tmd4n65z tmu4n65z.pdf
TMD4N65Z(G)/TMU4N65Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 650V 4A
tmp4n65z tmpf4n65z.pdf
TMP4N65Z(G)/TMPF4N65Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 650V 4A
Otros transistores... 2N65L , 2N65Z , 2N65K , 3N65A , 3N65 , 3N65Z , 3N65K , 4N65 , IRF730 , 4N65K , 5N65 , 5N65K , 6N65 , 5N60 , 6N60 , 6N60Z , 7N60A .
History: IXTC62N15P | IXTV26N50P
History: IXTC62N15P | IXTV26N50P
Liste
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irf520n datasheet | tip107 | 2n5457 | k3568 | 2sc1344 | cs840f | 2n3053 equivalent | 2n3569