4N65Z - описание и поиск аналогов

 

4N65Z. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 4N65Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для 4N65Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

4N65Z даташит

 ..1. Size:334K  utc
4n65z.pdfpdf_icon

4N65Z

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 4N65Z Power MOSFET 4A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 4N65Z is a high voltage power MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate 1 charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche TO-220F characteristic. This power MOSFET is usually used in high speed switching applicat

 0.1. Size:475K  trinnotech
tmd4n65z tmu4n65z.pdfpdf_icon

4N65Z

TMD4N65Z(G)/TMU4N65Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 650V 4A

 0.2. Size:628K  trinnotech
tmp4n65z tmpf4n65z.pdfpdf_icon

4N65Z

TMP4N65Z(G)/TMPF4N65Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 650V 4A

Другие MOSFET... 2N65L , 2N65Z , 2N65K , 3N65A , 3N65 , 3N65Z , 3N65K , 4N65 , IRFB31N20D , 4N65K , 5N65 , 5N65K , 6N65 , 5N60 , 6N60 , 6N60Z , 7N60A .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.