4N65Z - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

4N65Z MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: 4N65Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
   trⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для 4N65Z

4N65Z Datasheet (PDF)

..1. Size:334K utc
4n65z.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 4N65Z Power MOSFET 4A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 4N65Z is a high voltage power MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate 1charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche TO-220Fcharacteristic. This power MOSFET is usually used in high speed switching applicat

0.1. Size:475K trinnotech
tmd4n65z tmu4n65z.pdf