Справочник MOSFET. 4N65Z

 

4N65Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 4N65Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для 4N65Z

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

4N65Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:334K  utc
 4n65z.pdf pdf_icon

4N65Z

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 4N65Z Power MOSFET 4A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 4N65Z is a high voltage power MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate 1charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche TO-220Fcharacteristic. This power MOSFET is usually used in high speed switching applicat

 0.1. Size:475K  trinnotech
 tmd4n65z tmu4n65z.pdf pdf_icon

4N65Z

TMD4N65Z(G)/TMU4N65Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 650V 4A

 0.2. Size:628K  trinnotech
 tmp4n65z tmpf4n65z.pdf pdf_icon

4N65Z

TMP4N65Z(G)/TMPF4N65Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 650V 4A

Другие MOSFET... 2N65L , 2N65Z , 2N65K , 3N65A , 3N65 , 3N65Z , 3N65K , 4N65 , IRF730 , 4N65K , 5N65 , 5N65K , 6N65 , 5N60 , 6N60 , 6N60Z , 7N60A .

History: IXTC62N15P | STP6NA60

 

 
Back to Top

 


 
.