7N60Z Todos los transistores

 

7N60Z MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 7N60Z

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 142 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 170 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.83 Ohm

Encapsulados: TO-220 TO-220F1 TO-263

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7N60Z datasheet

 ..1. Size:180K  utc
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7N60Z

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 7N60Z Power MOSFET 7.4A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET 1 TO-220 DESCRIPTION The UTC 7N60Z is a high voltage power MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche 1 TO-220F1 characteristics. This power MOSFET is usually used in high speed swi

 0.1. Size:457K  trinnotech
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7N60Z

TMD7N60Z(G)/TMU7N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 600V 7A

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7N60Z

TMP7N60Z(G)/TMPF7N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 7A

Otros transistores... 5N65 , 5N65K , 6N65 , 5N60 , 6N60 , 6N60Z , 7N60A , 7N60 , AON7403 , 7N60K , 8N60 , 10N60 , 10N60K , 12N60 , 15N60 , 18N60 , 20N60 .

 

 

 


 
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