7N60Z - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 7N60Z
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 142 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 29 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 170 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.83 Ohm
Тип корпуса: TO-220 TO-220F1 TO-263
Аналог (замена) для 7N60Z
7N60Z Datasheet (PDF)
7n60z.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 7N60Z Power MOSFET 7.4A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET 1TO-220 DESCRIPTION The UTC 7N60Z is a high voltage power MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche 1TO-220F1characteristics. This power MOSFET is usually used in high speed swi
tmd7n60z tmu7n60z.pdf
TMD7N60Z(G)/TMU7N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 600V 7A
tmp7n60z tmpf7n60z.pdf
TMP7N60Z(G)/TMPF7N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 7A
Другие MOSFET... 5N65 , 5N65K , 6N65 , 5N60 , 6N60 , 6N60Z , 7N60A , 7N60 , HY1906P , 7N60K , 8N60 , 10N60 , 10N60K , 12N60 , 15N60 , 18N60 , 20N60 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM25N15C | AGM2319EL | AGM2309EL | AGM218MAP | AGM216MNE | AGM216ME | AGM215TS | AGM215MNE | AGM210S | AGM210MAP | AGM210AP | AGM20T09LL | AGM20T09C | AGM20P30AP1 | AGM20P30AP | AGM312D
Popular searches
bc239 transistor equivalent | 3sk41 | 2sc2240 transistor | c3198 | 2sc793 | 2sd313 replacement | 2n4249 | a1013 transistor