Справочник MOSFET. 7N60Z

 

7N60Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 7N60Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 142 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 170 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.83 Ohm
   Тип корпуса: TO-220 TO-220F1 TO-263
 

 Аналог (замена) для 7N60Z

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

7N60Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:180K  utc
 7n60z.pdf pdf_icon

7N60Z

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 7N60Z Power MOSFET 7.4A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET 1TO-220 DESCRIPTION The UTC 7N60Z is a high voltage power MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche 1TO-220F1characteristics. This power MOSFET is usually used in high speed swi

 0.1. Size:457K  trinnotech
 tmd7n60z tmu7n60z.pdf pdf_icon

7N60Z

TMD7N60Z(G)/TMU7N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 600V 7A

 0.2. Size:611K  trinnotech
 tmp7n60z tmpf7n60z.pdf pdf_icon

7N60Z

TMP7N60Z(G)/TMPF7N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 7A

Другие MOSFET... 5N65 , 5N65K , 6N65 , 5N60 , 6N60 , 6N60Z , 7N60A , 7N60 , EMB04N03H , 7N60K , 8N60 , 10N60 , 10N60K , 12N60 , 15N60 , 18N60 , 20N60 .

 

 
Back to Top

 


 
.