10N60K Todos los transistores

 

10N60K MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 10N60K

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 69 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.72 Ohm

Encapsulados: TO-220F TO-220F1 TO-220F3

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10N60K datasheet

 ..1. Size:199K  utc
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10N60K

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 10N60K Preliminary Power MOSFET 10A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 10N60K is an N-channel Power MOSFET using UTC s advanced technology to provide customers a minimum on-state resistance and superior switching performance, etc. The UTC 10N60K is generally applied in high efficient DC to DC converters, PWM motor controls an

 0.1. Size:301K  silan
svf10n60t svf10n60f svf10n60s svf10n60k.pdf pdf_icon

10N60K

SVF10N60T/F/S/K 10A 600V N 2 SVF10N60T/F/S/K N MOS 1 F-CellTM VDMOS 3 TO-263-2L 1

 0.3. Size:979K  cn hmsemi
hms10n60k hms10n60i.pdf pdf_icon

10N60K

HMS10N60K/HMS10N60I HMS10N60K/HMS10N60I 600V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using H&M Semi s - 10A, 600V, RDS(on) typ. = 0.42 @VGS = 10 V Advanced Super-Junction technology. - Low gate charge ( typical 35nC) This advanced technology has been especially tailored - High ruggedness to minimize conduction loss, provide superior switching - Fast

Otros transistores... 6N60 , 6N60Z , 7N60A , 7N60 , 7N60Z , 7N60K , 8N60 , 10N60 , MMIS60R580P , 12N60 , 15N60 , 18N60 , 20N60 , 22N60 , UF601 , UK2996 , 1N60A .

 

 

 


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