10N60K Todos los transistores

 

10N60K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 10N60K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 90 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 69 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.72 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F TO-220F1 TO-220F3
 

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10N60K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:199K  utc
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10N60K

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 10N60K Preliminary Power MOSFET 10A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 10N60K is an N-channel Power MOSFET using UTCs advanced technology to provide customers a minimum on-state resistance and superior switching performance, etc. The UTC 10N60K is generally applied in high efficient DC to DC converters, PWM motor controls an

 0.1. Size:301K  silan
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10N60K

SVF10N60T/F/S/K 10A600V N 2SVF10N60T/F/S/K N MOS 1 F-CellTM VDMOS 3TO-263-2L1

 0.2. Size:690K  silan
 svf10n60f svf10n60s svf10n60str svf10n60k.pdf pdf_icon

10N60K

SVF10N60F/T/S/K 10A600V N SVF10N60F/T/S/K N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC

 0.3. Size:979K  cn hmsemi
 hms10n60k hms10n60i.pdf pdf_icon

10N60K

HMS10N60K/HMS10N60IHMS10N60K/HMS10N60I600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using H&M Semis - 10A, 600V, RDS(on) typ. = 0.42@VGS = 10 VAdvanced Super-Junction technology. - Low gate charge ( typical 35nC)This advanced technology has been especially tailored - High ruggednessto minimize conduction loss, provide superior switching - Fast

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History: CPH3351

 

 
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