10N60K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 10N60K  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 69 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.72 Ohm

Тип корпуса: TO-220F TO-220F1 TO-220F3

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для 10N60K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

10N60K даташит

 ..1. Size:199K  utc
 10n60k.pdf pdf_icon

10N60K

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 10N60K Preliminary Power MOSFET 10A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 10N60K is an N-channel Power MOSFET using UTC s advanced technology to provide customers a minimum on-state resistance and superior switching performance, etc. The UTC 10N60K is generally applied in high efficient DC to DC converters, PWM motor controls an

 0.1. Size:301K  silan
 svf10n60t svf10n60f svf10n60s svf10n60k.pdf pdf_icon

10N60K

SVF10N60T/F/S/K 10A 600V N 2 SVF10N60T/F/S/K N MOS 1 F-CellTM VDMOS 3 TO-263-2L 1

 0.2. Size:690K  silan
 svf10n60f svf10n60s svf10n60str svf10n60k.pdf pdf_icon

10N60K

 0.3. Size:979K  cn hmsemi
 hms10n60k hms10n60i.pdf pdf_icon

10N60K

HMS10N60K/HMS10N60I HMS10N60K/HMS10N60I 600V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using H&M Semi s - 10A, 600V, RDS(on) typ. = 0.42 @VGS = 10 V Advanced Super-Junction technology. - Low gate charge ( typical 35nC) This advanced technology has been especially tailored - High ruggedness to minimize conduction loss, provide superior switching - Fast

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 6N60, 6N60Z, 7N60A, 7N60, 7N60Z, 7N60K, 8N60, 10N60, IRFB3206, 12N60, 15N60, 18N60, 20N60, 22N60, UF601, UK2996, 1N60A