1N60Z Todos los transistores

 

1N60Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 1N60Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 9.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252 TO-92
 

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1N60Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:244K  utc
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1N60Z

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 1N60Z Power MOSFET 1.2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 1N60Z is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in power s

 0.1. Size:120K  onsemi
 nddl01n60z.pdf pdf_icon

1N60Z

NDDL01N60Z, NDTL01N60ZN-Channel Power MOSFET600 V, 15 WFeatures 100% Avalanche Tested Gate Charge Minimizedhttp://onsemi.com Zener-protected These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSV(BR)DSS RDS(ON) MAXCompliant600 V 15 W @ 10 VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)Parameter Symbol NDD NDT UnitN-Channel MOSFETDr

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