1N60Z Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 1N60Z

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 9.3 Ohm

Encapsulados: TO-252 TO-92

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1N60Z datasheet

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1N60Z

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 1N60Z Power MOSFET 1.2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 1N60Z is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in power s

 0.1. Size:120K  onsemi
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1N60Z

NDDL01N60Z, NDTL01N60Z N-Channel Power MOSFET 600 V, 15 W Features 100% Avalanche Tested Gate Charge Minimized http //onsemi.com Zener-protected These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS V(BR)DSS RDS(ON) MAX Compliant 600 V 15 W @ 10 V ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted) Parameter Symbol NDD NDT Unit N-Channel MOSFET Dr

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