Справочник MOSFET. 1N60Z

 

1N60Z MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: 1N60Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.5 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.2 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 25 ns

Выходная емкость (Cd): 20 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 9.3 Ohm

Тип корпуса: TO-252 TO-92

Аналог (замена) для 1N60Z

 

 

1N60Z Datasheet (PDF)

0.1. nddl01n60z.pdf Size:120K _onsemi

1N60Z
1N60Z

NDDL01N60Z, NDTL01N60ZN-Channel Power MOSFET600 V, 15 WFeatures 100% Avalanche Tested Gate Charge Minimizedhttp://onsemi.com Zener-protected These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSV(BR)DSS RDS(ON) MAXCompliant600 V 15 W @ 10 VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)Parameter Symbol NDD NDT UnitN-Channel MOSFETDr

0.2. 1n60z.pdf Size:244K _utc

1N60Z
1N60Z

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 1N60Z Power MOSFET 1.2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 1N60Z is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in power s

 

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top