8N50H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 8N50H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 8N50H

8N50H Datasheet (PDF)

..1. Size:199K utc
8n50h.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 8N50H Power MOSFET 8A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION 1The UTC 8N50H is an N-channel mode power MOSFET usingUTCs advanced technology to provide customers with planar stripe TO-220Fand DMOS technology. This technology allows a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can withstand high energy pul

0.1. Size:150K kia
kia18n50h.pdf

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Liste

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