8N50H Todos los transistores

 

8N50H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 8N50H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
     - Selección de transistores por parámetros

 

8N50H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:199K  utc
 8n50h.pdf pdf_icon

8N50H

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 8N50H Power MOSFET 8A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION 1The UTC 8N50H is an N-channel mode power MOSFET usingUTCs advanced technology to provide customers with planar stripe TO-220Fand DMOS technology. This technology allows a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can withstand high energy pul

 0.1. Size:150K  kia
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8N50H

18A500V18N50HN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. DescriptionThe KIA18N50H N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for highvoltage, high speed power switching applications such as high efficiency switched mode power supplies,active power factor correction.2. Features R =0.25 @V =10VDS(on) GS Lowgate c

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IPAN70R900P7S | KP746B1 | AP4407GS-HF | TMPF11N50SG | IPW65R280E6 | 2SK3679-01MR | 2SK796

 

 
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