8N50H Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 8N50H 📄📄

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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8N50H datasheet

..1. Size:199K utc
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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 8N50H Power MOSFET 8A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION 1 The UTC 8N50H is an N-channel mode power MOSFET using UTC s advanced technology to provide customers with planar stripe TO-220F and DMOS technology. This technology allows a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can withstand high energy pul

0.1. Size:150K kia
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18A 500V 18N50H N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1. Description The KIA18N50H N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for high voltage, high speed power switching applications such as high efficiency switched mode power supplies, active power factor correction. 2. Features R =0.25 @V =10V DS(on) GS Lowgate c

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8N50H Datasheet. Equivalente