8N50H. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 8N50H
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
Аналог (замена) для 8N50H
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
8N50H даташит
8n50h.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 8N50H Power MOSFET 8A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION 1 The UTC 8N50H is an N-channel mode power MOSFET using UTC s advanced technology to provide customers with planar stripe TO-220F and DMOS technology. This technology allows a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can withstand high energy pul
kia18n50h.pdf
18A 500V 18N50H N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1. Description The KIA18N50H N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for high voltage, high speed power switching applications such as high efficiency switched mode power supplies, active power factor correction. 2. Features R =0.25 @V =10V DS(on) GS Lowgate c
Другие MOSFET... 2N60K , 3N60 , 3N60A , 3N60Z , 3N60K , 4N60 , 4N60Z , 4N60K , IRFP260N , 9N50 , 10N50 , 11N50 , 12N50 , 13N50 , 14N50 , 15N50 , 16N50 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASA60R150E | ASA60R090EFDA | ASA60R090EFD | ASA50R130E | ADW120N080G2 | ADQ120N080G2 | ADG120N080G2 | AS6004 | 2N7002EY | AS2310A | 2N7002KM | 2N7002KH | AON5802 | AOSS62934 | AOSN21319C | AONS66966
Popular searches
a970 transistor | 2sb560 | tip31c transistor equivalent | 2sc1815 datasheet | mj15015 | 13003 transistor datasheet | 2n3416 | bdx53c


