Справочник MOSFET. 8N50H

 

8N50H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 8N50H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

8N50H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:199K  utc
8n50h.pdfpdf_icon

8N50H

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 8N50H Power MOSFET 8A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION 1The UTC 8N50H is an N-channel mode power MOSFET usingUTCs advanced technology to provide customers with planar stripe TO-220Fand DMOS technology. This technology allows a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can withstand high energy pul

 0.1. Size:150K  kia
kia18n50h.pdfpdf_icon

8N50H

18A500V18N50HN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. DescriptionThe KIA18N50H N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for highvoltage, high speed power switching applications such as high efficiency switched mode power supplies,active power factor correction.2. Features R =0.25 @V =10VDS(on) GS Lowgate c

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: STP3NB80 | FDG6320C | NCEAP016N10LL | STB10NK60ZT4 | SI7413DN | BUK455-100B | SSF65R420S2

 

 
Back to Top

 


 
.