1N50Z Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 1N50Z 📄📄

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.6 Ohm

Encapsulados: TO-252 TO-92

📄📄 Copiar

Búsqueda de reemplazo de 1N50Z MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

1N50Z datasheet

..1. Size:185K utc
1n50z.pdf pdf_icon

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 1N50Z Preliminary Power MOSFET 1.3A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 1N50Z is an N-channel mode power MOSFET using UTC s advanced technology to provide customers with planar stripe and DMOS technology. This technology allows a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can withstand high energy puls

0.1. Size:144K onsemi
ndf11n50z.pdf pdf_icon

NDF11N50Z N-Channel Power MOSFET 500 V, 0.52 W Features Low ON Resistance Low Gate Charge www.onsemi.com ESD Diode-Protected Gate 100% Avalanche Tested VDSS RDS(ON) (MAX) @ 4.5 A These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 500 V Compliant 0.52 W ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C unless otherwise noted) N-Channel Rating Symbol NDF Unit D (

Otros transistores... 26N50, UF830, UF830Z, UF840, UK3568, UF450, UF460, 1N50, IRFP064N, 2N50, 3N50, 3N50Z, 4N50, 5N50, 5N50K, 6N50, 7N50

1N50Z Datasheet. Equivalente