1N50Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 1N50Z
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.6 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252 TO-92
Búsqueda de reemplazo de MOSFET 1N50Z
1N50Z Datasheet (PDF)
1n50z.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 1N50Z Preliminary Power MOSFET 1.3A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 1N50Z is an N-channel mode power MOSFET using UTC s advanced technology to provide customers with planar stripe and DMOS technology. This technology allows a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can withstand high energy puls
ndf11n50z.pdf
NDF11N50Z N-Channel Power MOSFET 500 V, 0.52 W Features Low ON Resistance Low Gate Charge www.onsemi.com ESD Diode-Protected Gate 100% Avalanche Tested VDSS RDS(ON) (MAX) @ 4.5 A These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 500 V Compliant 0.52 W ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C unless otherwise noted) N-Channel Rating Symbol NDF Unit D (
Otros transistores... 26N50 , UF830 , UF830Z , UF840 , UK3568 , UF450 , UF460 , 1N50 , IRF4905 , 2N50 , 3N50 , 3N50Z , 4N50 , 5N50 , 5N50K , 6N50 , 7N50 .
History: 13N40
History: 13N40
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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