1N50Z Todos los transistores

 

1N50Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 1N50Z

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 45 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 1.3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 13 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 30 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 4.6 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-252_TO-92

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1N50Z Datasheet (PDF)

1.1. 1n50z.pdf Size:185K _utc

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 1N50Z Preliminary Power MOSFET 1.3A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 1N50Z is an N-channel mode power MOSFET using UTC’s advanced technology to provide customers with planar stripe and DMOS technology. This technology allows a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can withstand high energy pulse i

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