Справочник MOSFET. 1N50Z

 

1N50Z MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: 1N50Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.6 Ohm
   Тип корпуса: TO-252 TO-92

 Аналог (замена) для 1N50Z

 

 

1N50Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:185K  utc
 1n50z.pdf

1N50Z 1N50Z

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 1N50Z Preliminary Power MOSFET 1.3A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 1N50Z is an N-channel mode power MOSFET usingUTCs advanced technology to provide customers with planar stripe and DMOS technology. This technology allows a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can withstand high energy puls

 0.1. Size:144K  onsemi
 ndf11n50z.pdf

1N50Z 1N50Z

NDF11N50ZN-Channel Power MOSFET500 V, 0.52 WFeatures Low ON Resistance Low Gate Chargewww.onsemi.com ESD Diode-Protected Gate 100% Avalanche TestedVDSS RDS(ON) (MAX) @ 4.5 A These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS500 VCompliant 0.52 WABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise noted)N-ChannelRating Symbol NDF UnitD (

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top