1N50Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: 1N50Z
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.6 Ohm
Тип корпуса: TO-252 TO-92
Аналог (замена) для 1N50Z
1N50Z Datasheet (PDF)
1n50z.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 1N50Z Preliminary Power MOSFET 1.3A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 1N50Z is an N-channel mode power MOSFET usingUTCs advanced technology to provide customers with planar stripe and DMOS technology. This technology allows a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can withstand high energy puls
ndf11n50z.pdf

NDF11N50ZN-Channel Power MOSFET500 V, 0.52 WFeatures Low ON Resistance Low Gate Chargewww.onsemi.com ESD Diode-Protected Gate 100% Avalanche TestedVDSS RDS(ON) (MAX) @ 4.5 A These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS500 VCompliant 0.52 WABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise noted)N-ChannelRating Symbol NDF UnitD (
Другие MOSFET... 26N50 , UF830 , UF830Z , UF840 , UK3568 , UF450 , UF460 , 1N50 , IRF4905 , 2N50 , 3N50 , 3N50Z , 4N50 , 5N50 , 5N50K , 6N50 , 7N50 .
History: IXFN80N50 | AON7410 | K3569-FP | GMM3x180-004X2-SMD | SIF5N60C | IRF623
History: IXFN80N50 | AON7410 | K3569-FP | GMM3x180-004X2-SMD | SIF5N60C | IRF623



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTP330N06D | JMTP3010D | JMTP3008A | JMTP260N03D | JMTP250P03A | JMTP240N03D | JMTP240C03D | JMTP230C04D | JMTP170N06D | JMTP170N06A | JMTP170C04D | JMTP160P03D | JMTP130P04A | JMTP130N04A | JMTP120C03D | JMTL3134KT7
Popular searches
kta1381 | bf494 | 2sc1885 | skd502t | 2sb754 | 2sc2362 | 2sd468 | c2240 transistor