1N50Z - аналоги и даташиты транзистора

 

1N50Z - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 1N50Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 11 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.6 Ohm
   Тип корпуса: TO-252 TO-92
 

 Аналог (замена) для 1N50Z

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

1N50Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:185K  utc
 1n50z.pdf pdf_icon

1N50Z

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 1N50Z Preliminary Power MOSFET 1.3A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 1N50Z is an N-channel mode power MOSFET usingUTCs advanced technology to provide customers with planar stripe and DMOS technology. This technology allows a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can withstand high energy puls

 0.1. Size:144K  onsemi
 ndf11n50z.pdf pdf_icon

1N50Z

NDF11N50ZN-Channel Power MOSFET500 V, 0.52 WFeatures Low ON Resistance Low Gate Chargewww.onsemi.com ESD Diode-Protected Gate 100% Avalanche TestedVDSS RDS(ON) (MAX) @ 4.5 A These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS500 VCompliant 0.52 WABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise noted)N-ChannelRating Symbol NDF UnitD (

Другие MOSFET... 26N50 , UF830 , UF830Z , UF840 , UK3568 , UF450 , UF460 , 1N50 , 2N7000 , 2N50 , 3N50 , 3N50Z , 4N50 , 5N50 , 5N50K , 6N50 , 7N50 .

 

 
Back to Top

 


 
.