1N50Z datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 1N50Z  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.6 Ohm

Тип корпуса: TO-252 TO-92

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для 1N50Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

1N50Z даташит

 ..1. Size:185K  utc
 1n50z.pdf pdf_icon

1N50Z

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 1N50Z Preliminary Power MOSFET 1.3A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 1N50Z is an N-channel mode power MOSFET using UTC s advanced technology to provide customers with planar stripe and DMOS technology. This technology allows a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can withstand high energy puls

 0.1. Size:144K  onsemi
 ndf11n50z.pdf pdf_icon

1N50Z

NDF11N50Z N-Channel Power MOSFET 500 V, 0.52 W Features Low ON Resistance Low Gate Charge www.onsemi.com ESD Diode-Protected Gate 100% Avalanche Tested VDSS RDS(ON) (MAX) @ 4.5 A These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 500 V Compliant 0.52 W ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C unless otherwise noted) N-Channel Rating Symbol NDF Unit D (

Другие IGBT... 26N50, UF830, UF830Z, UF840, UK3568, UF450, UF460, 1N50, IRFP064N, 2N50, 3N50, 3N50Z, 4N50, 5N50, 5N50K, 6N50, 7N50