3N50Z Todos los transistores

 

3N50Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3N50Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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3N50Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:173K  utc
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3N50Z

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 3N50Z Preliminary Power MOSFET 3A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION 1TO-220FThe UTC 3N50Z is an N-channel mode power MOSFET usingUTCs advanced technology to provide customers with planar stripe and DMOS technology. This technology allows a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can withstand high e

 0.1. Size:119K  onsemi
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3N50Z

NDD03N50ZN-Channel Power MOSFET500 V, 3.3 WFeatures Low ON Resistance Low Gate Chargehttp://onsemi.com ESD Diode-Protected Gate 100% Avalanche TestedVDSS RDS(on) (MAX) @ 1.15 A These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant500 V3.3 WABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise noted)N-ChannelRating Symbol Value Unit

 0.2. Size:619K  trinnotech
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3N50Z

TMP3N50Z(G)/TMPF3N50Z(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 2.5A

 0.3. Size:467K  trinnotech
 tmd3n50z tmu3n50z.pdf pdf_icon

3N50Z

TMD3N50Z(G)/TMU3N50Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 2.5A

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History: HFP3N80 | IRFU025 | 2341 | AMPCW120R30CV | SED5852 | NTB30N20 | FHA20N50A

 

 
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