3N50Z Todos los transistores

 

3N50Z MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3N50Z

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.2 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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3N50Z datasheet

 ..1. Size:173K  utc
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3N50Z

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 3N50Z Preliminary Power MOSFET 3A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION 1 TO-220F The UTC 3N50Z is an N-channel mode power MOSFET using UTC s advanced technology to provide customers with planar stripe and DMOS technology. This technology allows a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can withstand high e

 0.1. Size:119K  onsemi
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3N50Z

NDD03N50Z N-Channel Power MOSFET 500 V, 3.3 W Features Low ON Resistance Low Gate Charge http //onsemi.com ESD Diode-Protected Gate 100% Avalanche Tested VDSS RDS(on) (MAX) @ 1.15 A These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 500 V 3.3 W ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C unless otherwise noted) N-Channel Rating Symbol Value Unit

 0.2. Size:619K  trinnotech
 tmp3n50z tmpf3n50z.pdf pdf_icon

3N50Z

TMP3N50Z(G)/TMPF3N50Z(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 2.5A

 0.3. Size:467K  trinnotech
 tmd3n50z tmu3n50z.pdf pdf_icon

3N50Z

TMD3N50Z(G)/TMU3N50Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 2.5A

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History: F501D | AOWF10N60 | SWD80N04V | 4N60L-TN3-R | RUF020N02 | SWD4N50K | HM4354

 

 

 

 

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