3N50Z datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3N50Z  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для 3N50Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

3N50Z даташит

 ..1. Size:173K  utc
3n50z.pdfpdf_icon

3N50Z

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 3N50Z Preliminary Power MOSFET 3A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION 1 TO-220F The UTC 3N50Z is an N-channel mode power MOSFET using UTC s advanced technology to provide customers with planar stripe and DMOS technology. This technology allows a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can withstand high e

 0.1. Size:119K  onsemi
ndd03n50z.pdfpdf_icon

3N50Z

NDD03N50Z N-Channel Power MOSFET 500 V, 3.3 W Features Low ON Resistance Low Gate Charge http //onsemi.com ESD Diode-Protected Gate 100% Avalanche Tested VDSS RDS(on) (MAX) @ 1.15 A These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 500 V 3.3 W ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C unless otherwise noted) N-Channel Rating Symbol Value Unit

 0.2. Size:619K  trinnotech
tmp3n50z tmpf3n50z.pdfpdf_icon

3N50Z

TMP3N50Z(G)/TMPF3N50Z(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 2.5A

 0.3. Size:467K  trinnotech
tmd3n50z tmu3n50z.pdfpdf_icon

3N50Z

TMD3N50Z(G)/TMU3N50Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 2.5A

Другие IGBT... UF840, UK3568, UF450, UF460, 1N50, 1N50Z, 2N50, 3N50, 2SK3568, 4N50, 5N50, 5N50K, 6N50, 7N50, 8N50, 1N40, 2N40