3N50Z - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

3N50Z MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: 3N50Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10 nC
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для 3N50Z

3N50Z Datasheet (PDF)

..1. Size:173K utc
3n50z.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 3N50Z Preliminary Power MOSFET 3A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION 1TO-220FThe UTC 3N50Z is an N-channel mode power MOSFET usingUTCs advanced technology to provide customers with planar stripe and DMOS technology. This technology allows a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can withstand high e

0.1. Size:119K onsemi
ndd03n50z.pdf

NDD03N50ZN-Channel Power MOSFET500 V, 3.3 WFeatures Low ON Resistance Low Gate Chargehttp://onsemi.com ESD Diode-Protected Gate 100% Avalanche TestedVDSS RDS(on) (MAX) @ 1.15 A These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant500 V3.3 WABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise noted)N-ChannelRating Symbol Value Unit

0.2. Size:619K trinnotech
tmp3n50z tmpf3n50z.pdf