13N40 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 13N40  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 218 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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13N40 datasheet

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13N40

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 13N40 Preliminary Power MOSFET 13A, 400V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 13N40 is an N-channel mode power MOSFET using UTC s advanced technology to provide customers with planar stripe and DMOS technology. This technology specializes in allowing a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can withstand

 0.1. Size:104K  philips
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13N40

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP13N40E, PHB13N40E, PHW13N40E Avalanche energy rated FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA d Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 400 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 13.7 A g Low thermal resistance RDS(ON) 0.35 s GENERAL DESCRIPTION

Otros transistores... 5N40, 6N40, 7N40, 8N40, 9N40, 10N40, 11N40, 12N40, STP80NF70, 15N40, 18N40, 20N40, 25N40, UF730, UF740, UF3N25, UF634