13N40 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 13N40

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 48 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 400 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 13 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 20 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 218 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.35 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-220F

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13N40 Datasheet (PDF)

1.1. php13n40e 3.pdf Size:104K _philips2

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP13N40E, PHB13N40E, PHW13N40E Avalanche energy rated FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA d � Repetitive Avalanche Rated � Fast switching VDSS = 400 V � Stable off-state characteristics � High thermal cycling performance ID = 13.7 A g � Low thermal resistance RDS(ON) ? 0.35 ? s GENERAL DESCRIPTION N-channel, enhan

1.2. 13n40.pdf Size:151K _utc

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Liste

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