13N40 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 13N40

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 48 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 400 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 30 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 13 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 20 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 218 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.35 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-220F

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13N40 Datasheet (PDF)

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Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP13N40E, PHB13N40E, PHW13N40E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 400 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 13.7 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 0.35 sGENERAL DESCRIPTION

0.2. 13n40.pdf Size:151K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 13N40 Preliminary Power MOSFET 13A, 400V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 13N40 is an N-channel mode power MOSFET usingUTC s advanced technology to provide customers with planar stripe and DMOS technology. This technology specializes in allowing a minimum on-state resistance and superior switching performance. Italso can withstand

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Liste

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