13N40 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 13N40
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 48 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 400 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V
Corriente continua de drenaje (Id): 13 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 20 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 218 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.35 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET 13N40
13N40 Datasheet (PDF)
1.1. php13n40e 3.pdf 
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Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP13N40E, PHB13N40E, PHW13N40E Avalanche energy rated FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA d Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 400 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 13.7 A g Low thermal resistance RDS(ON) ? 0.35 ? s GENERAL DESCRIPTION N-channel, enhan
1.2. 13n40.pdf Size:151K _utc
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 13N40 Preliminary Power MOSFET 13A, 400V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 13N40 is an N-channel mode power MOSFET using UTC’ s advanced technology to provide customers with planar stripe and DMOS technology. This technology specializes in allowing a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can withstand hig
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