Справочник MOSFET. 13N40

 

13N40 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 13N40
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 218 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

13N40 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:151K  utc
 13n40.pdf pdf_icon

13N40

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 13N40 Preliminary Power MOSFET 13A, 400V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 13N40 is an N-channel mode power MOSFET usingUTC s advanced technology to provide customers with planar stripe and DMOS technology. This technology specializes in allowing a minimum on-state resistance and superior switching performance. Italso can withstand

 0.1. Size:104K  philips
 php13n40e 3.pdf pdf_icon

13N40

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP13N40E, PHB13N40E, PHW13N40E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 400 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 13.7 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 0.35 sGENERAL DESCRIPTION

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: APQ06SN65AF | IXTT360N055T2 | WMK18N50C4 | IXTQ76N25T | STP12N50M2 | IRFB7534 | KRF7401

 

 
Back to Top

 


 
.