UF730 Todos los transistores

 

UF730 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UF730
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 73 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 20 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220 TO-220F TO-251 TO-252
 

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UF730 Datasheet (PDF)

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UF730

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UF730 Power MOSFET 5.5 Amps, 400 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 1TO-252 DESCRIPTION The N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, switching converters, solenoid, motor 1drivers, relay drivers. TO-251 FEATURES * RDS(ON) = 1@V

Otros transistores... 10N40 , 11N40 , 12N40 , 13N40 , 15N40 , 18N40 , 20N40 , 25N40 , P0903BDG , UF740 , UF3N25 , UF634 , 12N25 , 15N25 , 18N25 , UF2N30 , 10N30 .

History: AOT600A60L

 

 
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