UF730 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UF730  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 73 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm

Encapsulados: TO-220 TO-220F TO-251 TO-252

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UF730 datasheet

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UF730

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UF730 Power MOSFET 5.5 Amps, 400 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 1 TO-252 DESCRIPTION The N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, switching converters, solenoid, motor 1 drivers, relay drivers. TO-251 FEATURES * RDS(ON) = 1 @V

Otros transistores... 10N40, 11N40, 12N40, 13N40, 15N40, 18N40, 20N40, 25N40, IRF1407, UF740, UF3N25, UF634, 12N25, 15N25, 18N25, UF2N30, 10N30