Справочник MOSFET. UF730

 

UF730 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: UF730
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 73 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 20 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-220 TO-220F TO-251 TO-252
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UF730 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:337K  utc
 uf730.pdf pdf_icon

UF730

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UF730 Power MOSFET 5.5 Amps, 400 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 1TO-252 DESCRIPTION The N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, switching converters, solenoid, motor 1drivers, relay drivers. TO-251 FEATURES * RDS(ON) = 1@V

Другие MOSFET... 10N40 , 11N40 , 12N40 , 13N40 , 15N40 , 18N40 , 20N40 , 25N40 , P0903BDG , UF740 , UF3N25 , UF634 , 12N25 , 15N25 , 18N25 , UF2N30 , 10N30 .

 

 
Back to Top

 


 
.