UF730 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: UF730  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 73 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: TO-220 TO-220F TO-251 TO-252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для UF730

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UF730 даташит

 ..1. Size:337K  utc
 uf730.pdf pdf_icon

UF730

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UF730 Power MOSFET 5.5 Amps, 400 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 1 TO-252 DESCRIPTION The N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, switching converters, solenoid, motor 1 drivers, relay drivers. TO-251 FEATURES * RDS(ON) = 1 @V

Другие IGBT... 10N40, 11N40, 12N40, 13N40, 15N40, 18N40, 20N40, 25N40, IRF1407, UF740, UF3N25, UF634, 12N25, 15N25, 18N25, UF2N30, 10N30