UF3N25 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UF3N25

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.14 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 250 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 90 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 80 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.7 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-251, SOT-223, TO-252

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UF3N25 Datasheet (PDF)

1.1. uf3n25.pdf Size:156K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UF3N25 Power MOSFET 3A, 250V N-CHANNEL POWER MOSFET 1 SOT-223 DESCRIPTION The UTC UF3N25 is an N-channel enhancement mode Power MOSFET using UTC’ s advanced technology to provide customers with a minimum on-state resistance, low gate charge 1 and superior switching performance. TO-252 FEATURES * RDS(ON)<1.7Ω @ VGS=10V, ID=3A * Hig

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