UF3N25 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UF3N25  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.14 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.7 Ohm

Encapsulados: TO-251 SOT-223 TO-252

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UF3N25 datasheet

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UF3N25

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UF3N25 Power MOSFET 3A, 250V N-CHANNEL POWER MOSFET 1 SOT-223 DESCRIPTION The UTC UF3N25 is an N-channel enhancement mode Power MOSFET using UTC s advanced technology to provide customers with a minimum on-state resistance, low gate charge 1 and superior switching performance. TO-252 FEATURES * RDS(ON)

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