UF3N25 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: UF3N25  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.7 Ohm

Тип корпуса: TO-251 SOT-223 TO-252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для UF3N25

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UF3N25 даташит

 ..1. Size:156K  utc
 uf3n25.pdf pdf_icon

UF3N25

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UF3N25 Power MOSFET 3A, 250V N-CHANNEL POWER MOSFET 1 SOT-223 DESCRIPTION The UTC UF3N25 is an N-channel enhancement mode Power MOSFET using UTC s advanced technology to provide customers with a minimum on-state resistance, low gate charge 1 and superior switching performance. TO-252 FEATURES * RDS(ON)

Другие IGBT... 12N40, 13N40, 15N40, 18N40, 20N40, 25N40, UF730, UF740, 10N65, UF634, 12N25, 15N25, 18N25, UF2N30, 10N30, 12N30, UF3205