18N25 Todos los transistores

 

18N25 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 18N25
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 138 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 130 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263 TO-220F

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18N25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:173K  utc
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18N25

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 18N25 Power MOSFET 18A, 250V N-CHANNEL POWER MOSFET 1 DESCRIPTION TO-220F The UTC 18N25 is an N-channel enhancement mode power MOSFET using UTC s advanced planar stripe and DMOS technology to provide perfect performance. This technology can withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. It can provide minimum on-state

 0.1. Size:159K  vishay
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18N25

SUM18N25-165 Vishay Siliconix N-Channel 250-V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET V(BR)DSS (V) ID (A) rDS(on) ( ) 175 C Junction Temperature RoHS 0.165 at VGS = 10 V 250 18 COMPLIANT Low Thermal Resistance Package D TO-263 G G D S Top View S Ordering Information SUM18N25-165-E3 (Lead (Pb)-free) N-Channel MOSFET ABSOLU

 0.2. Size:721K  jilin sino
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18N25

N-CHANNEL MOSFET JCS18N25C Package MAIN CHARACTERISTICS ID 18A VDSS 250V Rdson-max@Vgs=10V 230m Qg-typ 17.48nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies UPS Electronic lamp ballasts based on half bridge UPS

Otros transistores... 20N40 , 25N40 , UF730 , UF740 , UF3N25 , UF634 , 12N25 , 15N25 , AO3407 , UF2N30 , 10N30 , 12N30 , UF3205 , 2N7000Z , 2N7002LL , 2N7002Z , 2N7002ZT .

 

 
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