18N25 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 18N25
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 138 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 30 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 130 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263 TO-220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 18N25

18N25 Datasheet (PDF)

..1. Size:173K utc
18n25.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 18N25 Power MOSFET 18A, 250V N-CHANNEL POWER MOSFET 1 DESCRIPTION TO-220FThe UTC 18N25 is an N-channel enhancement mode power MOSFET using UTCs advanced planar stripe and DMOS technology to provide perfect performance. This technology can withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. It can provide minimum on-state

0.1. Size:159K vishay
sum18n25-165.pdf

SUM18N25-165Vishay SiliconixN-Channel 250-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) ID (A)rDS(on) () 175 C Junction TemperatureRoHS0.165 at VGS = 10 V 250 18COMPLIANT Low Thermal Resistance PackageDTO-263GG D STop ViewSOrdering Information: SUM18N25-165-E3 (Lead (Pb)-free) N-Channel MOSFETABSOLU

0.2. Size:721K jilin sino
jcs18n25vc jcs18n25rc jcs18n25cc jcs18n25fc.pdf

N-CHANNEL MOSFET JCS18N25C Package MAIN CHARACTERISTICS ID 18A VDSS 250V Rdson-max@Vgs=10V 230m Qg-typ 17.48nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies UPS Electronic lamp ballasts based on half bridge UPS

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Liste

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