18N25 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 18N25  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 138 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 30 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 130 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm

Encapsulados: TO-263 TO-220F

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18N25 datasheet

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18N25

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 18N25 Power MOSFET 18A, 250V N-CHANNEL POWER MOSFET 1 DESCRIPTION TO-220F The UTC 18N25 is an N-channel enhancement mode power MOSFET using UTC s advanced planar stripe and DMOS technology to provide perfect performance. This technology can withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. It can provide minimum on-state

 0.1. Size:159K  vishay
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18N25

SUM18N25-165 Vishay Siliconix N-Channel 250-V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET V(BR)DSS (V) ID (A) rDS(on) ( ) 175 C Junction Temperature RoHS 0.165 at VGS = 10 V 250 18 COMPLIANT Low Thermal Resistance Package D TO-263 G G D S Top View S Ordering Information SUM18N25-165-E3 (Lead (Pb)-free) N-Channel MOSFET ABSOLU

 0.2. Size:721K  jilin sino
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18N25

N-CHANNEL MOSFET JCS18N25C Package MAIN CHARACTERISTICS ID 18A VDSS 250V Rdson-max@Vgs=10V 230m Qg-typ 17.48nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies UPS Electronic lamp ballasts based on half bridge UPS

Otros transistores... 20N40, 25N40, UF730, UF740, UF3N25, UF634, 12N25, 15N25, 4N60, UF2N30, 10N30, 12N30, UF3205, 2N7000Z, 2N7002LL, 2N7002Z, 2N7002ZT