18N25. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 18N25

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 138 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm

Тип корпуса: TO-263 TO-220F

Аналог (замена) для 18N25

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

18N25 даташит

 ..1. Size:173K  utc
 18n25.pdf pdf_icon

18N25

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 18N25 Power MOSFET 18A, 250V N-CHANNEL POWER MOSFET 1 DESCRIPTION TO-220F The UTC 18N25 is an N-channel enhancement mode power MOSFET using UTC s advanced planar stripe and DMOS technology to provide perfect performance. This technology can withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. It can provide minimum on-state

 0.1. Size:159K  vishay
 sum18n25-165.pdf pdf_icon

18N25

SUM18N25-165 Vishay Siliconix N-Channel 250-V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET V(BR)DSS (V) ID (A) rDS(on) ( ) 175 C Junction Temperature RoHS 0.165 at VGS = 10 V 250 18 COMPLIANT Low Thermal Resistance Package D TO-263 G G D S Top View S Ordering Information SUM18N25-165-E3 (Lead (Pb)-free) N-Channel MOSFET ABSOLU

 0.2. Size:721K  jilin sino
 jcs18n25vc jcs18n25rc jcs18n25cc jcs18n25fc.pdf pdf_icon

18N25

N-CHANNEL MOSFET JCS18N25C Package MAIN CHARACTERISTICS ID 18A VDSS 250V Rdson-max@Vgs=10V 230m Qg-typ 17.48nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies UPS Electronic lamp ballasts based on half bridge UPS

Другие IGBT... 20N40, 25N40, UF730, UF740, UF3N25, UF634, 12N25, 15N25, AO3407, UF2N30, 10N30, 12N30, UF3205, 2N7000Z, 2N7002LL, 2N7002Z, 2N7002ZT