UF2N30 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UF2N30

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 300 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 50 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 90 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 2 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT-223

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UF2N30 Datasheet (PDF)

1.1. uf2n30.pdf Size:130K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UF2N30 Preliminary Power MOSFET 2A, 300V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UF2N30 is an N-channel enhancement mode Power MOSFET using UTC’ s advanced technology to provide customers with a minimum on-state resistance, low gate charge and superior switching performance. FEATURES * 2A, 300V, RDS(ON)<2Ω @ VGS=10V, ID=2A * High s

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Liste

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