UF2N30 Todos los transistores

 

UF2N30 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UF2N30
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-223
 

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UF2N30 Datasheet (PDF)

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UF2N30

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UF2N30 Preliminary Power MOSFET 2A, 300V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UF2N30 is an N-channel enhancement mode Power MOSFET using UTC s advanced technology to provide customers with a minimum on-state resistance, low gate charge and superior switching performance. FEATURES * 2A, 300V, RDS(ON)

Otros transistores... 25N40 , UF730 , UF740 , UF3N25 , UF634 , 12N25 , 15N25 , 18N25 , 75N75 , 10N30 , 12N30 , UF3205 , 2N7000Z , 2N7002LL , 2N7002Z , 2N7002ZT , UF3055 .

History: IRFP452FI

 

 
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