Справочник MOSFET. UF2N30

 

UF2N30 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: UF2N30
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223
 

 Аналог (замена) для UF2N30

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UF2N30 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:130K  utc
 uf2n30.pdf pdf_icon

UF2N30

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UF2N30 Preliminary Power MOSFET 2A, 300V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UF2N30 is an N-channel enhancement mode Power MOSFET using UTC s advanced technology to provide customers with a minimum on-state resistance, low gate charge and superior switching performance. FEATURES * 2A, 300V, RDS(ON)

Другие MOSFET... 25N40 , UF730 , UF740 , UF3N25 , UF634 , 12N25 , 15N25 , 18N25 , 75N75 , 10N30 , 12N30 , UF3205 , 2N7000Z , 2N7002LL , 2N7002Z , 2N7002ZT , UF3055 .

History: IXTX120N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.