UF3055 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UF3055
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.13 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
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UF3055 datasheet
uf3055.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UF3055 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION 1 TO-252 As an N-channel enhancement mode power MOSFET, the UTC UF3055 is designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits. FEATURES 1 * RDS(ON)
Otros transistores... UF2N30, 10N30, 12N30, UF3205, 2N7000Z, 2N7002LL, 2N7002Z, 2N7002ZT, P60NF06, UTD3055, 12N06, 12N06Z, 15N06, 12N10, 15N20, 19N10, 22N20
History: MTN7002ZN3
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUW033N08BG | AUW025N10 | AUR030N10 | AUR020N10 | AUR020N085 | AUR014N10 | AUP074N10 | AUP065N10 | AUP062N08BG | AUP060N08AG | HYG053N10NS1B | HYG053N10NS1P | AP220N04T | AP220N04P | QM3126M3 | AUP060N055
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