UF3055. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UF3055

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.13 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: TO-252 SOT-223

Аналог (замена) для UF3055

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UF3055 даташит

 ..1. Size:186K  utc
 uf3055.pdf pdf_icon

UF3055

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UF3055 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION 1 TO-252 As an N-channel enhancement mode power MOSFET, the UTC UF3055 is designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits. FEATURES 1 * RDS(ON)

Другие IGBT... UF2N30, 10N30, 12N30, UF3205, 2N7000Z, 2N7002LL, 2N7002Z, 2N7002ZT, P60NF06, UTD3055, 12N06, 12N06Z, 15N06, 12N10, 15N20, 19N10, 22N20