22N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 22N20
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220 TO-220F
Búsqueda de reemplazo de 22N20 MOSFET
22N20 Datasheet (PDF)
22n20.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 22N20 Preliminary Power MOSFET 22A, 200V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 22N20 is an N-channel enhancement mode power MOSFET using UTCs advanced technology to provide customerswith planar stripe and DMOS technology. This technology isspecialized in allowing a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also
mtn22n20j3.pdf
Spec. No. : C840J3 Issued Date : 2012.07.02 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200VMTN22N20J3 ID 22A86m VGS=10V, ID=11A RDSON(TYP) 93m VGS=4.5V, ID=5A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent Circuit
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Liste
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