22N20 Todos los transistores

 

22N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 22N20

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 156 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 22 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 300 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 220 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.12 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-220_TO-220F

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22N20 Datasheet (PDF)

1.1. 22n20.pdf Size:184K _utc

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 22N20 Preliminary Power MOSFET 22A, 200V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 22N20 is an N-channel enhancement mode power MOSFET using UTC’s advanced technology to provide customers with planar stripe and DMOS technology. This technology is specialized in allowing a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can

1.2. mtn22n20j3.pdf Size:280K _cystek

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Spec. No. : C840J3 Issued Date : 2012.07.02 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200V MTN22N20J3 ID 22A 86mΩ VGS=10V, ID=11A RDSON(TYP) 93mΩ VGS=4.5V, ID=5A Features • Low Gate Charge • Simple Drive Requirement • Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent Circuit

 

Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 

 
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