22N20 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 22N20  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm

Encapsulados: TO-220 TO-220F

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22N20 datasheet

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22N20

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 22N20 Preliminary Power MOSFET 22A, 200V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 22N20 is an N-channel enhancement mode power MOSFET using UTC s advanced technology to provide customers with planar stripe and DMOS technology. This technology is specialized in allowing a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also

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22N20

Spec. No. C840J3 Issued Date 2012.07.02 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.26 Page No. 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200V MTN22N20J3 ID 22A 86m VGS=10V, ID=11A RDSON(TYP) 93m VGS=4.5V, ID=5A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent Circuit

Otros transistores... UF3055, UTD3055, 12N06, 12N06Z, 15N06, 12N10, 15N20, 19N10, AO4468, 25N06, 25N10, 30N06, 50N06, 60N06, 60N08, 6N10, 70N06