22N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 22N20
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 156 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V
Corriente continua de drenaje (Id): 22 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 300 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 220 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.12 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO-220_TO-220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET 22N20
22N20 Datasheet (PDF)
1.1. 22n20.pdf 
Size:184K _utc
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 22N20 Preliminary Power MOSFET 22A, 200V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 22N20 is an N-channel enhancement mode power MOSFET using UTC’s advanced technology to provide customers with planar stripe and DMOS technology. This technology is specialized in allowing a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can
1.2. mtn22n20j3.pdf Size:280K _cystek
Spec. No. : C840J3 Issued Date : 2012.07.02 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200V MTN22N20J3 ID 22A 86mΩ VGS=10V, ID=11A RDSON(TYP) 93mΩ VGS=4.5V, ID=5A Features • Low Gate Charge • Simple Drive Requirement • Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent Circuit
Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .
