22N20. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 22N20

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 300 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm

Тип корпуса: TO-220 TO-220F

Аналог (замена) для 22N20

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

22N20 даташит

 ..1. Size:184K  utc
 22n20.pdf pdf_icon

22N20

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 22N20 Preliminary Power MOSFET 22A, 200V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 22N20 is an N-channel enhancement mode power MOSFET using UTC s advanced technology to provide customers with planar stripe and DMOS technology. This technology is specialized in allowing a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also

 0.1. Size:280K  cystek
 mtn22n20j3.pdf pdf_icon

22N20

Spec. No. C840J3 Issued Date 2012.07.02 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.26 Page No. 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200V MTN22N20J3 ID 22A 86m VGS=10V, ID=11A RDSON(TYP) 93m VGS=4.5V, ID=5A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent Circuit

Другие IGBT... UF3055, UTD3055, 12N06, 12N06Z, 15N06, 12N10, 15N20, 19N10, IRFZ46N, 25N06, 25N10, 30N06, 50N06, 60N06, 60N08, 6N10, 70N06