22N20 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 22N20
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 300 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
Тип корпуса: TO-220 TO-220F
Аналог (замена) для 22N20
22N20 Datasheet (PDF)
22n20.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 22N20 Preliminary Power MOSFET 22A, 200V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 22N20 is an N-channel enhancement mode power MOSFET using UTCs advanced technology to provide customerswith planar stripe and DMOS technology. This technology isspecialized in allowing a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also
mtn22n20j3.pdf
Spec. No. : C840J3 Issued Date : 2012.07.02 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200VMTN22N20J3 ID 22A86m VGS=10V, ID=11A RDSON(TYP) 93m VGS=4.5V, ID=5A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent Circuit
Другие MOSFET... UF3055 , UTD3055 , 12N06 , 12N06Z , 15N06 , 12N10 , 15N20 , 19N10 , IRFZ46N , 25N06 , 25N10 , 30N06 , 50N06 , 60N06 , 60N08 , 6N10 , 70N06 .
History: IPD031N06L3G | 1N60L-TMS4-T | 1N60L-T60-K | 12N70L-TF1-T | 1N60L-TN3-R
History: IPD031N06L3G | 1N60L-TMS4-T | 1N60L-T60-K | 12N70L-TF1-T | 1N60L-TN3-R
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM40P26S | AGM40P26E | AGM40P26AP | AGM40P25AP | AGM40P25A | AGM40P150C | AGM40P13S | AGM40P100H | AGM40P100C | AGM40P100A | AGM409D | AGM409A | AGM408MN | AGM408M | AGM406Q | AGM610MN
Popular searches
tip73 | 2n3392 | 2n2369a | 2sc733 | a933 transistor | d209l | irfb4321 | 2n333



