22N20 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 22N20
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 300 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
Тип корпуса: TO-220 TO-220F
Аналог (замена) для 22N20
22N20 Datasheet (PDF)
22n20.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 22N20 Preliminary Power MOSFET 22A, 200V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 22N20 is an N-channel enhancement mode power MOSFET using UTCs advanced technology to provide customerswith planar stripe and DMOS technology. This technology isspecialized in allowing a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also
mtn22n20j3.pdf

Spec. No. : C840J3 Issued Date : 2012.07.02 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200VMTN22N20J3 ID 22A86m VGS=10V, ID=11A RDSON(TYP) 93m VGS=4.5V, ID=5A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent Circuit
Другие MOSFET... UF3055 , UTD3055 , 12N06 , 12N06Z , 15N06 , 12N10 , 15N20 , 19N10 , STP65NF06 , 25N06 , 25N10 , 30N06 , 50N06 , 60N06 , 60N08 , 6N10 , 70N06 .
History: R5011FNJ | FQP4N25 | IPP120N08S4-04 | R6004ENJ | MSK7D5N60F | BSP613P | NTMFS5C612NL
History: R5011FNJ | FQP4N25 | IPP120N08S4-04 | R6004ENJ | MSK7D5N60F | BSP613P | NTMFS5C612NL



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
tip73 | 2n3392 | 2n2369a | 2sc733 | a933 transistor | d209l | irfb4321 | 2n333