7N10Z Todos los transistores

 

7N10Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 7N10Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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7N10Z Datasheet (PDF)

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7N10Z

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 7N10Z Power MOSFET 7A, 100V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 7N10Z is an N-Channel enhancement mode power MOSFET providing customers with excellent switching performanceand minimum on-state resistance. The UTC 7N10Z uses planar stripe and DMOS technology to provide perfect quality. This device can also withstand high energy pulse i

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