7N10Z - аналоги и даташиты транзистора

 

7N10Z - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 7N10Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для 7N10Z

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

7N10Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:213K  utc
 7n10z.pdf pdf_icon

7N10Z

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 7N10Z Power MOSFET 7A, 100V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 7N10Z is an N-Channel enhancement mode power MOSFET providing customers with excellent switching performanceand minimum on-state resistance. The UTC 7N10Z uses planar stripe and DMOS technology to provide perfect quality. This device can also withstand high energy pulse i

Другие MOSFET... 30N06 , 50N06 , 60N06 , 60N08 , 6N10 , 70N06 , 75N75 , 7N10 , AO4407A , 80N08 , UF1010A , UF1010E , UF3710 , UF4N20 , UF540 , UF630 , UF640 .

History: IRF3709ZCLPBF | IXTP80N075L2 | IPD50R3K0CE | IPD50R380CE | IRF3711ZCL | IXTH76P10T | IXTH76N25T

 

 
Back to Top

 


 
.