7N10Z. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 7N10Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для 7N10Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

7N10Z даташит

 ..1. Size:213K  utc
 7n10z.pdf pdf_icon

7N10Z

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 7N10Z Power MOSFET 7A, 100V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 7N10Z is an N-Channel enhancement mode power MOSFET providing customers with excellent switching performance and minimum on-state resistance. The UTC 7N10Z uses planar stripe and DMOS technology to provide perfect quality. This device can also withstand high energy pulse i

Другие IGBT... 30N06, 50N06, 60N06, 60N08, 6N10, 70N06, 75N75, 7N10, AO4407A, 80N08, UF1010A, UF1010E, UF3710, UF4N20, UF540, UF630, UF640