UF1010E Todos los transistores

 

UF1010E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UF1010E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 84 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 78 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 690 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220 TO-220F1 TO-220F2 TO-263
     - Selección de transistores por parámetros

 

UF1010E Datasheet (PDF)

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UF1010E

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UF1010E Power MOSFET N-CHANNEL POWER MOSFET 11 DESCRIPTION Using high technology of UTC, UTC UF1010E has the TO-220 TO-220F1features such as: low RDS(ON), fast switching, and low gate charge.Like features of all power MOSFET devices features, UTC UF1010E can satisfy almost all the requirements of high efficient device form customers. 1

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UF1010E

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UF1010A Power MOSFET N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION By using high technology, UTC UF1010A has the features, such as low RDS(ON), fast switching and low gate charge. Like features of all power MOSFET devices, UTC UF1010A can satisfy almost all the 1requirements of high efficient devices form customers. TO-220 FEATURES * RDS(ON)

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History: N0412N | AOLF66610 | VS3618AE | 2SK1336 | WSD4066DN | CSD17310Q5A | BRCS020N03RA

 

 
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