UF1010E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UF1010E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 84 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 78 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 690 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: TO-220 TO-220F1 TO-220F2 TO-263

Аналог (замена) для UF1010E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UF1010E даташит

 ..1. Size:208K  utc
 uf1010e.pdf pdf_icon

UF1010E

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UF1010E Power MOSFET N-CHANNEL POWER MOSFET 1 1 DESCRIPTION Using high technology of UTC, UTC UF1010E has the TO-220 TO-220F1 features such as low RDS(ON), fast switching, and low gate charge. Like features of all power MOSFET devices features, UTC UF1010E can satisfy almost all the requirements of high efficient device form customers. 1

 8.1. Size:218K  utc
 uf1010a.pdf pdf_icon

UF1010E

Другие IGBT... 60N08, 6N10, 70N06, 75N75, 7N10, 7N10Z, 80N08, UF1010A, AO4468, UF3710, UF4N20, UF540, UF630, UF640, UF6N15, UF8010, UFZ44