UF4N20 Todos los transistores

 

UF4N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UF4N20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.14 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252 SOT-223
 

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UF4N20 Datasheet (PDF)

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UF4N20

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UF4N20 Power MOSFET 4A, 200V N-CHANNEL POWER MOSFET 1 DESCRIPTION TO-252The UTC UF4N20 is an N-channel mode power MOSFET usingUTCs advanced technology to provide customers with a minimum on-state resistance, low gate charge and superior switching performance. 1 FEATURES SOT-223* RDS(ON)

Otros transistores... 70N06 , 75N75 , 7N10 , 7N10Z , 80N08 , UF1010A , UF1010E , UF3710 , IRFZ44N , UF540 , UF630 , UF640 , UF6N15 , UF8010 , UFZ44 , URFP150 , UT12N10 .

History: IPB04CN10NG | TSM2N7000KCT | SHD230409 | HFN6N70U | CSP08N6P5 | DH300N08E | SWP055R68E7T

 

 
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