UF4N20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UF4N20

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.14 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm

Encapsulados: TO-252 SOT-223

 Búsqueda de reemplazo de UF4N20 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

UF4N20 datasheet

 ..1. Size:157K  utc
 uf4n20.pdf pdf_icon

UF4N20

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UF4N20 Power MOSFET 4A, 200V N-CHANNEL POWER MOSFET 1 DESCRIPTION TO-252 The UTC UF4N20 is an N-channel mode power MOSFET using UTC s advanced technology to provide customers with a minimum on-state resistance, low gate charge and superior switching performance. 1 FEATURES SOT-223 * RDS(ON)

Otros transistores... 70N06, 75N75, 7N10, 7N10Z, 80N08, UF1010A, UF1010E, UF3710, IRFZ44N, UF540, UF630, UF640, UF6N15, UF8010, UFZ44, URFP150, UT12N10