Справочник MOSFET. UF4N20

 

UF4N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: UF4N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO-252 SOT-223
 

 Аналог (замена) для UF4N20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UF4N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:157K  utc
 uf4n20.pdf pdf_icon

UF4N20

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UF4N20 Power MOSFET 4A, 200V N-CHANNEL POWER MOSFET 1 DESCRIPTION TO-252The UTC UF4N20 is an N-channel mode power MOSFET usingUTCs advanced technology to provide customers with a minimum on-state resistance, low gate charge and superior switching performance. 1 FEATURES SOT-223* RDS(ON)

Другие MOSFET... 70N06 , 75N75 , 7N10 , 7N10Z , 80N08 , UF1010A , UF1010E , UF3710 , IRFZ44N , UF540 , UF630 , UF640 , UF6N15 , UF8010 , UFZ44 , URFP150 , UT12N10 .

History: IXTA36P15P | AP90N03Q | 2SK1157 | 17P10L-TM3-T | UT3406 | AOT66918L | 12N70G-TF1-T

 

 
Back to Top

 


 
.