UF4N20. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UF4N20

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: TO-252 SOT-223

Аналог (замена) для UF4N20

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UF4N20 даташит

 ..1. Size:157K  utc
 uf4n20.pdf pdf_icon

UF4N20

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UF4N20 Power MOSFET 4A, 200V N-CHANNEL POWER MOSFET 1 DESCRIPTION TO-252 The UTC UF4N20 is an N-channel mode power MOSFET using UTC s advanced technology to provide customers with a minimum on-state resistance, low gate charge and superior switching performance. 1 FEATURES SOT-223 * RDS(ON)

Другие IGBT... 70N06, 75N75, 7N10, 7N10Z, 80N08, UF1010A, UF1010E, UF3710, IRFZ44N, UF540, UF630, UF640, UF6N15, UF8010, UFZ44, URFP150, UT12N10