UF6N15 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UF6N15
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.95 Ohm
Encapsulados: SOT-223
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UF6N15 datasheet
uf6n15.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UF6N15 Preliminary Power MOSFET 6A, 150V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UF6N15 is an N-channel enhancement mode Power MOSFET using UTC s advanced technology to provide customers with a minimum on-state resistance, low gate charge and superior switching performance. FEATURES * 6A, 150V, RDS(ON)
Otros transistores... 80N08, UF1010A, UF1010E, UF3710, UF4N20, UF540, UF630, UF640, 20N60, UF8010, UFZ44, URFP150, UT12N10, UT2N10, 12P10, 7P20, UF9640
History: IPP034N03L
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUW033N08BG | AUW025N10 | AUR030N10 | AUR020N10 | AUR020N085 | AUR014N10 | AUP074N10 | AUP065N10 | AUP062N08BG | AUP060N08AG | HYG053N10NS1B | HYG053N10NS1P | AP220N04T | AP220N04P | QM3126M3 | AUP060N055
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