UF6N15 - аналоги и даташиты транзистора

 

UF6N15 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: UF6N15
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.95 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223
 

 Аналог (замена) для UF6N15

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UF6N15 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:128K  utc
 uf6n15.pdf pdf_icon

UF6N15

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UF6N15 Preliminary Power MOSFET 6A, 150V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UF6N15 is an N-channel enhancement mode Power MOSFET using UTC s advanced technology to provide customers with a minimum on-state resistance, low gate charge and superior switching performance. FEATURES * 6A, 150V, RDS(ON)

Другие MOSFET... 80N08 , UF1010A , UF1010E , UF3710 , UF4N20 , UF540 , UF630 , UF640 , 20N60 , UF8010 , UFZ44 , URFP150 , UT12N10 , UT2N10 , 12P10 , 7P20 , UF9640 .

History: IRFR210PBF

 

 
Back to Top

 


 
.