UF8010 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UF8010
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 260 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 370 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 620 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-263 TO-220 TO-220F
- Selección de transistores por parámetros
UF8010 Datasheet (PDF)
uf8010.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UF8010 Power MOSFET 80A, 100V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UF8010 uses advanced technology to provide excellent RDS(ON), fast switching speed, low gate charge, and excellent efficiency. This device is suitable for high frequency DC-DC converters, UPS and motor control. FEATURES * RDS(ON) :12m (Typ.) * Lower gate-drain
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: PHN203 | MTN50N06E3 | SSFT4004 | PSMN1R7-60BS | CPC3730 | IPI051N15N5 | SM3116NAF
History: PHN203 | MTN50N06E3 | SSFT4004 | PSMN1R7-60BS | CPC3730 | IPI051N15N5 | SM3116NAF



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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