UF8010. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UF8010

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 370 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 620 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: TO-263 TO-220 TO-220F

Аналог (замена) для UF8010

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UF8010 даташит

 ..1. Size:251K  utc
 uf8010.pdf pdf_icon

UF8010

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UF8010 Power MOSFET 80A, 100V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UF8010 uses advanced technology to provide excellent RDS(ON), fast switching speed, low gate charge, and excellent efficiency. This device is suitable for high frequency DC-DC converters, UPS and motor control. FEATURES * RDS(ON) 12m (Typ.) * Lower gate-drain

Другие IGBT... UF1010A, UF1010E, UF3710, UF4N20, UF540, UF630, UF640, UF6N15, IRF540N, UFZ44, URFP150, UT12N10, UT2N10, 12P10, 7P20, UF9640, UF9Z24