Справочник MOSFET. UF8010

 

UF8010 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: UF8010
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 370 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 620 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO-263 TO-220 TO-220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

UF8010 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:251K  utc
 uf8010.pdf pdf_icon

UF8010

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UF8010 Power MOSFET 80A, 100V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UF8010 uses advanced technology to provide excellent RDS(ON), fast switching speed, low gate charge, and excellent efficiency. This device is suitable for high frequency DC-DC converters, UPS and motor control. FEATURES * RDS(ON) :12m (Typ.) * Lower gate-drain

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: KMC7D0CN20CA | WFP840B | SI7252DP | IRLML5203PBF | IRF3707SPBF | TMP3N50AZ | HYG400P10LR1D

 

 
Back to Top

 


 
.