UT12N10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UT12N10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm

Encapsulados: TO-251 TO-252

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UT12N10 datasheet

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UT12N10

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT12N10 Preliminary Power MOSFET 12 Amps, 100 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 1 DESCRIPTION TO-251 The UTC UT12N10 is an N-channel mode Power FET using UTC s advanced technology to provide custumers with minimum on-state resistance by extremely high dense cell design. Moreover, it s good at handing high power and current. 1 FEATURES

Otros transistores... UF4N20, UF540, UF630, UF640, UF6N15, UF8010, UFZ44, URFP150, IRFP460, UT2N10, 12P10, 7P20, UF9640, UF9Z24, UT2955, UTT120P06, UTT12P10