UT12N10 Todos los transistores

 

UT12N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UT12N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251 TO-252
 

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UT12N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:145K  utc
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UT12N10

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT12N10 Preliminary Power MOSFET 12 Amps, 100 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 1 DESCRIPTION TO-251The UTC UT12N10 is an N-channel mode Power FET using UTCs advanced technology to provide custumers with minimum on-state resistance by extremely high dense cell design. Moreover, it s good at handing high power and current. 1 FEATURES

Otros transistores... UF4N20 , UF540 , UF630 , UF640 , UF6N15 , UF8010 , UFZ44 , URFP150 , IRF640 , UT2N10 , 12P10 , 7P20 , UF9640 , UF9Z24 , UT2955 , UTT120P06 , UTT12P10 .

 

 
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