Справочник MOSFET. UT12N10

 

UT12N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: UT12N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: TO-251 TO-252
 

 Аналог (замена) для UT12N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UT12N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:145K  utc
 ut12n10.pdf pdf_icon

UT12N10

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT12N10 Preliminary Power MOSFET 12 Amps, 100 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 1 DESCRIPTION TO-251The UTC UT12N10 is an N-channel mode Power FET using UTCs advanced technology to provide custumers with minimum on-state resistance by extremely high dense cell design. Moreover, it s good at handing high power and current. 1 FEATURES

Другие MOSFET... UF4N20 , UF540 , UF630 , UF640 , UF6N15 , UF8010 , UFZ44 , URFP150 , IRF640 , UT2N10 , 12P10 , 7P20 , UF9640 , UF9Z24 , UT2955 , UTT120P06 , UTT12P10 .

History: AONP38324U | GSM1023

 

 
Back to Top

 


 
.