UT12N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UT12N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: TO-251 TO-252

Аналог (замена) для UT12N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UT12N10 даташит

 ..1. Size:145K  utc
 ut12n10.pdf pdf_icon

UT12N10

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT12N10 Preliminary Power MOSFET 12 Amps, 100 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 1 DESCRIPTION TO-251 The UTC UT12N10 is an N-channel mode Power FET using UTC s advanced technology to provide custumers with minimum on-state resistance by extremely high dense cell design. Moreover, it s good at handing high power and current. 1 FEATURES

Другие IGBT... UF4N20, UF540, UF630, UF640, UF6N15, UF8010, UFZ44, URFP150, IRFP460, UT2N10, 12P10, 7P20, UF9640, UF9Z24, UT2955, UTT120P06, UTT12P10