UT2N10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UT2N10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.05 Ohm

Encapsulados: TO-252 TO-92 TO-92NL

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UT2N10 datasheet

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UT2N10

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT2N10 Power MOSFET Preliminary 2 Amps,100 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UT2N10 is N-Channel enhancement mode silicon gate power FET.it uses a special gate oxide designed to provide full rated conductance at gate biases through 3V 5V and facilitate true on-off power control directly from logic circuit supply voltages.

Otros transistores... UF540, UF630, UF640, UF6N15, UF8010, UFZ44, URFP150, UT12N10, IRFZ44, 12P10, 7P20, UF9640, UF9Z24, UT2955, UTT120P06, UTT12P10, UTT16P10