UT2N10 Todos los transistores

 

UT2N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UT2N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252 TO-92 TO-92NL
 

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UT2N10 Datasheet (PDF)

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UT2N10

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT2N10 Power MOSFET Preliminary 2 Amps,100 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UT2N10 is N-Channel enhancement mode silicon gate power FET.it uses a special gate oxide designed to provide full rated conductance at gate biases through 3V ~ 5V and facilitate true on-off power control directly from logic circuit supply voltages.

Otros transistores... UF540 , UF630 , UF640 , UF6N15 , UF8010 , UFZ44 , URFP150 , UT12N10 , IRFZ44 , 12P10 , 7P20 , UF9640 , UF9Z24 , UT2955 , UTT120P06 , UTT12P10 , UTT16P10 .

History: IRF7805Z | HCU80R1K4 | IRLMS4502

 

 
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