Справочник MOSFET. UT2N10

 

UT2N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: UT2N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.05 Ohm
   Тип корпуса: TO-252 TO-92 TO-92NL
 

 Аналог (замена) для UT2N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UT2N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:173K  utc
 ut2n10.pdf pdf_icon

UT2N10

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT2N10 Power MOSFET Preliminary 2 Amps,100 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UT2N10 is N-Channel enhancement mode silicon gate power FET.it uses a special gate oxide designed to provide full rated conductance at gate biases through 3V ~ 5V and facilitate true on-off power control directly from logic circuit supply voltages.

Другие MOSFET... UF540 , UF630 , UF640 , UF6N15 , UF8010 , UFZ44 , URFP150 , UT12N10 , IRFZ44 , 12P10 , 7P20 , UF9640 , UF9Z24 , UT2955 , UTT120P06 , UTT12P10 , UTT16P10 .

History: IRF7769L2 | IRLMS4502 | IRF7805 | IRF7805Z | BUZ50A-220TM

 

 
Back to Top

 


 
.