UT2N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UT2N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.05 Ohm

Тип корпуса: TO-252 TO-92 TO-92NL

Аналог (замена) для UT2N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UT2N10 даташит

 ..1. Size:173K  utc
 ut2n10.pdf pdf_icon

UT2N10

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT2N10 Power MOSFET Preliminary 2 Amps,100 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UT2N10 is N-Channel enhancement mode silicon gate power FET.it uses a special gate oxide designed to provide full rated conductance at gate biases through 3V 5V and facilitate true on-off power control directly from logic circuit supply voltages.

Другие IGBT... UF540, UF630, UF640, UF6N15, UF8010, UFZ44, URFP150, UT12N10, IRFZ44, 12P10, 7P20, UF9640, UF9Z24, UT2955, UTT120P06, UTT12P10, UTT16P10