FRS430H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FRS430H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.52 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO257AA

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FRS430H

FRS430H Datasheet (PDF)

8.1. Size:55K intersil
frs430.pdf

FRS430D, FRS430R,FRS430H3A, 500V, 2.52 Ohm, Rad Hard,June 1998 N-Channel Power MOSFETsFeatures Package 3A, 500V, RDS(on) = 2.52TO-257AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)

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Liste

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