Справочник MOSFET. FRS430H

 

FRS430H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FRS430H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.52 Ohm
   Тип корпуса: TO257AA
 

 Аналог (замена) для FRS430H

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FRS430H Datasheet (PDF)

 8.1. Size:55K  intersil
 frs430.pdf pdf_icon

FRS430H

FRS430D, FRS430R,FRS430H3A, 500V, 2.52 Ohm, Rad Hard,June 1998 N-Channel Power MOSFETsFeatures Package 3A, 500V, RDS(on) = 2.52TO-257AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD(Si)

Другие MOSFET... FRS234R , FRS240D , FRS240H , FRS240R , FRS244D , FRS244H , FRS244R , FRS430D , P0903BDG , FRS430R , FRS440D , FRS440H , FRS440R , FRS9130D , FRS9130H , FRS9130R , FRS9140D .

History: 2SJ136 | NCEP85T16

 

 
Back to Top

 


 
.