UTT16P10 Todos los transistores

 

UTT16P10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UTT16P10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.21 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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UTT16P10 Datasheet (PDF)

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UTT16P10

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT16P10 Preliminary Power MOSFET 100V, 16A P-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION 1The UTC UTT16P10 is a P-channel power MOSFET using UTCs TO-252advanced technology to provide the customers with high switching speed, cost-effectiveness and a minimum on-state resistance. It can also withstand high energy in the avalanche. FEATURES * RDS(

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History: IRF3709L | IRF2907ZS-7P | HUF75637S3

 

 
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