UTT16P10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UTT16P10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.21 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de UTT16P10 MOSFET
UTT16P10 Datasheet (PDF)
utt16p10.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT16P10 Preliminary Power MOSFET 100V, 16A P-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION 1The UTC UTT16P10 is a P-channel power MOSFET using UTCs TO-252advanced technology to provide the customers with high switching speed, cost-effectiveness and a minimum on-state resistance. It can also withstand high energy in the avalanche. FEATURES * RDS(
Otros transistores... UT2N10 , 12P10 , 7P20 , UF9640 , UF9Z24 , UT2955 , UTT120P06 , UTT12P10 , AON6414A , UTT18P10 , UTT25P10 , UTT50P10 , UTT70P10 , UTT80P06 , UK4145 , UTT100N06 , UTT100N08 .
History: IRF3709L | IRF2907ZS-7P | HUF75637S3
History: IRF3709L | IRF2907ZS-7P | HUF75637S3



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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