UTT16P10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UTT16P10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.21 Ohm

Encapsulados: TO-252

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UTT16P10 datasheet

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UTT16P10

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT16P10 Preliminary Power MOSFET 100V, 16A P-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION 1 The UTC UTT16P10 is a P-channel power MOSFET using UTC s TO-252 advanced technology to provide the customers with high switching speed, cost-effectiveness and a minimum on-state resistance. It can also withstand high energy in the avalanche. FEATURES * RDS(

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