Справочник MOSFET. UTT16P10

 

UTT16P10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: UTT16P10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.21 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для UTT16P10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UTT16P10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:166K  utc
 utt16p10.pdf pdf_icon

UTT16P10

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT16P10 Preliminary Power MOSFET 100V, 16A P-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION 1The UTC UTT16P10 is a P-channel power MOSFET using UTCs TO-252advanced technology to provide the customers with high switching speed, cost-effectiveness and a minimum on-state resistance. It can also withstand high energy in the avalanche. FEATURES * RDS(

Другие MOSFET... UT2N10 , 12P10 , 7P20 , UF9640 , UF9Z24 , UT2955 , UTT120P06 , UTT12P10 , AON6414A , UTT18P10 , UTT25P10 , UTT50P10 , UTT70P10 , UTT80P06 , UK4145 , UTT100N06 , UTT100N08 .

History: STD30PF03L-1 | SWT69N65K2F | APT60M75L2LL | AOH3106 | SI8499DB | 2SJ285

 

 
Back to Top

 


 
.