UTT16P10 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: UTT16P10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.21 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для UTT16P10
UTT16P10 Datasheet (PDF)
utt16p10.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT16P10 Preliminary Power MOSFET 100V, 16A P-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION 1The UTC UTT16P10 is a P-channel power MOSFET using UTCs TO-252advanced technology to provide the customers with high switching speed, cost-effectiveness and a minimum on-state resistance. It can also withstand high energy in the avalanche. FEATURES * RDS(
Другие MOSFET... UT2N10 , 12P10 , 7P20 , UF9640 , UF9Z24 , UT2955 , UTT120P06 , UTT12P10 , AON6414A , UTT18P10 , UTT25P10 , UTT50P10 , UTT70P10 , UTT80P06 , UK4145 , UTT100N06 , UTT100N08 .
History: SIHF630S | APT30M30LLLG | NCE2030
History: SIHF630S | APT30M30LLLG | NCE2030



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2n3403 | 2sa750 | tip117 | 2n3643 | 2sc2078 transistor equivalent | 2sc2073 | a608 transistor | c536 transistor