UTT16P10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UTT16P10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.21 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для UTT16P10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UTT16P10 даташит

 ..1. Size:166K  utc
 utt16p10.pdf pdf_icon

UTT16P10

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT16P10 Preliminary Power MOSFET 100V, 16A P-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION 1 The UTC UTT16P10 is a P-channel power MOSFET using UTC s TO-252 advanced technology to provide the customers with high switching speed, cost-effectiveness and a minimum on-state resistance. It can also withstand high energy in the avalanche. FEATURES * RDS(

Другие IGBT... UT2N10, 12P10, 7P20, UF9640, UF9Z24, UT2955, UTT120P06, UTT12P10, IRFB4227, UTT18P10, UTT25P10, UTT50P10, UTT70P10, UTT80P06, UK4145, UTT100N06, UTT100N08