UTT70P10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: UTT70P10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 225 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 700 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET UTT70P10

UTT70P10 Datasheet (PDF)

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utt70p10.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT70P10 Preliminary Power MOSFET 70A, 100V P-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UTT70P10 is a P-channel power MOSFET usingUTCs advanced technology to provide the customers with high switching speed and a minimum on-state resistance. It can also withstand high energy in the avalanche. FEATURES * RDS(ON)=0.03 @ VGS=-10V, ID=-20A

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Liste

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