UTT70P10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UTT70P10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 225 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 700 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm

Encapsulados: TO-220

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UTT70P10 datasheet

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UTT70P10

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT70P10 Preliminary Power MOSFET 70A, 100V P-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UTT70P10 is a P-channel power MOSFET using UTC s advanced technology to provide the customers with high switching speed and a minimum on-state resistance. It can also withstand high energy in the avalanche. FEATURES * RDS(ON)=0.03 @ VGS=-10V, ID=-20A

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