UTT70P10 Todos los transistores

 

UTT70P10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UTT70P10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 225 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 700 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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UTT70P10 Datasheet (PDF)

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UTT70P10

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT70P10 Preliminary Power MOSFET 70A, 100V P-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UTT70P10 is a P-channel power MOSFET usingUTCs advanced technology to provide the customers with high switching speed and a minimum on-state resistance. It can also withstand high energy in the avalanche. FEATURES * RDS(ON)=0.03 @ VGS=-10V, ID=-20A

Otros transistores... UF9Z24 , UT2955 , UTT120P06 , UTT12P10 , UTT16P10 , UTT18P10 , UTT25P10 , UTT50P10 , IRFP250N , UTT80P06 , UK4145 , UTT100N06 , UTT100N08 , UTT10N10 , UTT120N06 , UTT150N06 , UTT20N10 .

History: SUD50N02-06P | IXFV22N50PS | NTD95N02R | P45N02LI | P2504BDG | AP4002H | CED03N8

 

 
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