Справочник MOSFET. UTT70P10

 

UTT70P10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: UTT70P10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 225 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для UTT70P10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UTT70P10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:122K  utc
 utt70p10.pdf pdf_icon

UTT70P10

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT70P10 Preliminary Power MOSFET 70A, 100V P-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UTT70P10 is a P-channel power MOSFET usingUTCs advanced technology to provide the customers with high switching speed and a minimum on-state resistance. It can also withstand high energy in the avalanche. FEATURES * RDS(ON)=0.03 @ VGS=-10V, ID=-20A

Другие MOSFET... UF9Z24 , UT2955 , UTT120P06 , UTT12P10 , UTT16P10 , UTT18P10 , UTT25P10 , UTT50P10 , IRFP250N , UTT80P06 , UK4145 , UTT100N06 , UTT100N08 , UTT10N10 , UTT120N06 , UTT150N06 , UTT20N10 .

History: SQJ570EP | P0550ED

 

 
Back to Top

 


 
.