UTT70P10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UTT70P10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 225 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для UTT70P10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UTT70P10 даташит

 ..1. Size:122K  utc
 utt70p10.pdf pdf_icon

UTT70P10

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT70P10 Preliminary Power MOSFET 70A, 100V P-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UTT70P10 is a P-channel power MOSFET using UTC s advanced technology to provide the customers with high switching speed and a minimum on-state resistance. It can also withstand high energy in the avalanche. FEATURES * RDS(ON)=0.03 @ VGS=-10V, ID=-20A

Другие IGBT... UF9Z24, UT2955, UTT120P06, UTT12P10, UTT16P10, UTT18P10, UTT25P10, UTT50P10, IRFB4115, UTT80P06, UK4145, UTT100N06, UTT100N08, UTT10N10, UTT120N06, UTT150N06, UTT20N10